半导体新材料先进烧结与特种焊接平台

利用脉冲电流和轴向压力，在较低温度和较短时间下实现粉末快速致密化，有效抑制晶粒长大，获得细晶/纳米晶组织。

在高真空环境下对粉体坯体同步施加机械压力与高温加热，显著降低烧结温度、提高致密度、减少内部缺陷，实现近净成形。

以高压氩气等惰性气体为介质，在高温下对工件施加各向同性均匀压力，消除内部孔隙和缺陷，实现近理论密度。

采用高压惰性气体（氮气/氩气）抑制材料高温分解和挥发，实现高致密烧结，组织均匀、晶粒细化，显著提升力学性能和可靠性。

以高纯氢气为还原气氛，深度去除金属粉末表面氧化物和杂质，实现材料还原、纯化与表面活化，提高致密度和导电/导热性能。

高真空环境下集成脱脂、脱气、防氧化、纯化与高温烧结，分步温控先去除粘结剂再高温烧结，批次一致性优异。

在高真空、高温和压力下，接触面原子扩散结合形成固态接头，无需钎料，接头性能与母材一致，变形极小，气密性优异。

在高真空无污染环境下，以低熔点钎料毛细填充间隙形成冶金结合，加热均匀、变形小、焊缝致密气密，可多焊缝同时焊接。

在高纯氢气保护与还原气氛下完成金属、陶瓷金属化件和精密部件钎焊，减少氧化膜影响，提升焊缝洁净度与连接一致性。

利用高能量密度等离子弧实现精密焊接，适合薄壁金属件、密封结构和高一致性连接场景，可结合材料与结构要求评估焊接窗口。